Новостной портал

Так исторически сложилось, что организация GlobalFoundries наследовала от компании AMD изготовление на подложках в качестве кремния на изоляторе либо SOI. Особый пласт изолятора понижал чужеядные утечки в микросхемах и позволял достигать больших признаков (частот и действенности употребления) без прохода на не менее узкие техпроцессы. Двадцать–15 лет тому назад микропроцессоры AMD с успехом использовали данную технологию и ничем не проигрывали микропроцессорам Intel, произведенным на пластинках из стандартного единого кремния.

В GlobalFoundries не позабыли о SOI и готовятся производить полупроводники как на стандартных SOI-пластинах, так и на пластинках с целиком обеднённым слоем кремния — FD-SOI. Техпроцессы SOI и FD-SOI организация приспособила к общепризнанным меркам изготовления 22 hm и делает 12-нм процесс. Кроме предприятий компании в Германии и в Соединенных Штатах, включая прежние автозаводы компании IBM, для которых применение пластинок SOI также считается близким, обработка SOI-пластин будет введена на строящемся автозаводе в КНР (войдёт в строй в 2019 году). В конце концов, организация обновит предприятие в Сингапуре, чтобы там можно было производить на пластинках SOI радиочастотные полупроводники либо RF-SOI.

Образец RF-блоков, которые можно производить на пластинках SOI (помимо передатчика)

Для разработки радиочастотных элементов для изготовления на пластинках RF-SOI организация продемонстрировала комплект для создателей RF SOI Process Design Kit (7SW SOI PDK). Эксклюзивной отличительной чертой этого набора было то, что он включает комплект приборов SiPEX французской компании Coupling Wave Solutions (CWS). При помощи пакета SiPEX можно не только лишь планировать групповые индукционные радио-модули, но и вести испытание программ (эмуляцию) с учётом отличительных черт пластинок SOI. Принимается, что симуляция и аннулирование настоящих данных с произведенных чипов почти не имеют расхождений в свидетельствах. Другими словами, квалифицированный и глобальный хром не преподнесёт создателям цифрового проекта бомб замедленного действия.

Ярко-красным обведены RF-блоки для Эпл Айфон 4, они все могут стать встроенными благодаря RF SOI

При помощи комплекта 7SW SOI PDK можно планировать малогабаритные и встроенные индукционные тракты для мобильных телефонов миллиметрового спектра, для сетей 5G и прочих индукционных механизмов. Это коммутаторы, усилители производительности, входные усилители с невысоким уровнем своих звуков, другое. Всё это будет востребовано для сотовых механизмов, вещей с включением к Сети-интернет, Wifi и для целого диапазона иных коммуникационных решений.