Новостной портал

Приблизительно годом ранее организация «Самсунг» продемонстрировала образец твердотельных накопителей на новом виде флеш-памяти, который она представила Z-NAND. К началу осени 2016 года «Самсунг» продемонстрировала квалифицированные эталоны SSD SZ985 на памяти Z-NAND (Z-SSD) ёмкостью 1 Тбайт (для клиентов подходящий объём модификаций составляет 800 Гигабайт). Для PCIe-накопителя абсолютной ширины это относительно незначительный объём памяти, что принуждает призадуматься о насыщенности записи микросхем Z-NAND.

SSD «Самсунг» SZ985 на памяти Z-NAND

В новой вести на веб-сайте Business Korea подтверждается, что память Z-NAND представляет из себя двухслойную память 3D NAND (в определениях «Самсунг» — V-NAND) с записью в каждую ячейку по одному биту данных. Это ограничивает предельный объём накопителей Z-SSD, однако ведёт к увеличению мощности, к понижению задержек и к резкому увеличению стойкости к сносу.

Со слов источника, организация «Самсунг» чуть раньше начала обсуждать с заказчиками критерии поставок Z-SSD. Известно, что квалифицированные образцы накопителей на собственных площадках исследуют компании NetApp и Datera. Пока, глобального изготовления памяти Z-NAND и накопителей Z-SSD можно не ожидать. Как говорят наши южнокорейские коллеги, изготовление Z-SSD рассчитано на 2015 год.

Остаётся припомнить, что память Z-SSD сделана «Самсунг» в роли замены памяти 3D XPoint организаций Intel и Micron. Память 3D XPoint характеризуется максимально небольшой латентностью в области SSD, которая для режима чтения понижена до 10 мкс. Задержки чтения для накопителя «Самсунг» SZ985 понижены до 15 мкс.

Картина со стенда «Самсунг» с квалифицированным образцом Z-SSD (www.businesskorea.co.kr)

Что же касается закоренелых скоростей в режиме чтения, то «Самсунг» SZ985 как и Intel Optane DC P4800X не стали прорывом, впрочем в общем обе модификации демонстрируют существенный рост по отношению к средним SSD. Так, модель «Самсунг» SZ985 демонстрирует закоренелые скорости чтения и записи на уровне 3,2 Гигабайт/с, что определённо выше перспектив Intel Optane DC P4800X (2,4 Гигабайт/с для чтения и 2,1 Гигабайт/с для записи). Значения IOPS для чтения невольных блоков достигает 750 млн., но для записи — 160 млн. операций ввода-вывода. В базе SZ985 находится фирменный контроллер компании под кодовым названием Phoenix. Трехкратный рост ёмкости Z-SSD можно ждать в 2016 году, когда организация начнёт изготовление Z-NAND с двухбитовой ячейкой.