Март 11th, 2024 
raven000 Совет JEDEC рассказал об учреждении 2-ух подкомитетов, которые увлекутся подготовкой стереотипа для безграничной характеристики силовых частей на базе так именуемых широкозонных полупроводников (JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors). Преимущественно речь идёт о типизации транзисторов для блоков питания и подсистем питания, и в том числе встроенных. На данный момент для этого в применяются объединения нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Как следствие, 1 подкомитет кредитётся типизацией частей на базе нитрида галлия, но 2-й — на базе карбида кремния.
Справа для аналогии 200-В стандартный Si (кремневый) MOSFET и 200-В eGaN FET, но слева выполнение для 600-В GaN устройств (www.researchgate.net)
Полупроводники с большой запрещённой зоной (Wide Bandgap) владеют невысоким спортивным противодействием и невысоким пороговым усилием переключения. Силовые транзисторы на базе GaN и SiC готовы держать существенные флюиды при очень малогабаритных габаритах. Также эти элементы показывают самые низкие утраты при переходных действиях, что осязаемо улучшает КПД блоков питания на транзисторах из нитрида галлия на подложках из карбида кремния. Всё это востребовано в связи с линией прохода на тележка и в свете повальной войны с понижением потерь на преображение электрической энергии.
Широкозонные полупроводники делают «оптимальную пилу» при преображении импульса, которая не уходит в минус (Fujitsu Laboratories)
Совет JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors на время возглавят официальные дилеры Infineon, Texas Instruments и Wolfspeed (раньше Cree Company). Все эти компании активно производят силовые детали на широкозонных полупроводниках. Общая часть организаций Infineon и Wolfspeed на рынке SiC-элементов, к примеру, продвигается к 70 %. Одним словом, за дело возьмутся эксперты.
Надо сказать, что рабочая команда по исследованию вопросов типизации широкозонных полупроводников — GaNSPEC — была основана внутри промышленности ещё осенью 2016 года. В скором времени после этого совет JEDEC начал гарантировать команде помощь в логистике. Подобная команда SiCSPEC исследовала карбидокремниевые детали. Обе компании включают порядка 50 представителей изготовителей полупроводников, индустриального оснащения, создателей технологий, учёных и сотрудников федеральных лабораторий из Соединенных Штатов, Европы и Азии. Они все далее будут действовать под защитой JEDEC.
Широкозонные полупроводники имеют безграничную сферу применеия (http://www.pntpower.com)
В итоге работы совета гарантирует выйти эталон, улучшающий подготовку, изготовление и применение широкозонных полупроводников в силовых объектах. Блоки питания будут намного плотнее и значительно действеннее.
Опубликовано в рубрике 
