Новостной портал

Все прошлые годы основными шагами по формированию изготовления полупроводников оставалась замена масштаба технических общепризнанных мерок. Сегодня, когда снизить объем элемента на кристалле становится максимально сложно, известность обретают окольные пути, например, переход на полупроводниковые пластинки с изолирующим слоем из целиком обеднённого кремния либо FD-SOI. Пластинки FD-SOI в изготовлении активно применяет организация STMicroelectronics и готовятся применять компании GlobalFoundries и «Самсунг».

На прошедшей неделе мы знакомились с проектами GlobalFoundries, которая начнёт рисковое изготовление с техпроцессом 22FDX (22 hm) в середине 2018 года. Организация «Самсунг», как было обнародовано из нового формального известия компании-производителя, в скором времени рассчитывает приступить к групповому производству решений с применением фирменного техпроцесса 28FDS (28 hm). Направим ваше внимание, что техпроцессы GlobalFoundries и «Самсунг» различаются, впрочем в случае обработки единого кремния GlobalFoundries лицензировала у «Самсунг» техпроцессы с общепризнанными мерками 28 hm и 14 hm FinFET. Процесс 22FDX организация GlobalFoundries лицензировала у STMicroelectronics.

Возвращаясь к анонсу «Самсунг», стоит отметить, что изготовитель рассказал об образовании первого в промышленности цифрового проекта интегрированной памяти eMRAM согласно к техпроцессу 28FDS. Этим самым выпуск квалифицированного блока eMRAM с общепризнанными мерками 28 hm на пластинках FD-SOI можно ждать в середине осени либо в самом начале лета 2015 года. Многочисленное изготовление решений, логично, начнется к концу 2018 года, когда GlobalFoundries только что заметит первые квалифицированные решения, производимые с техпроцессом 22FDX.

Принцип сохранения информации в ячее памяти MRAM

Организация GlobalFoundries, напоминаем, в техпроцессе 22FDX также будет производить решения с интегрированной памятью eMRAM. Магниторезистивная память с случайным доступом (MRAM) действует со скоростью, ближайшей к скорости стандартной материнской платы. Огромная площадь ячеи магниторезистивной памяти не дает возможность производить ёмкие чипсеты MRAM, что задерживает её многочисленное возникновение в компьютерных системах. Начало изготовления 28-нм и 22-нм кристаллов MRAM гарантирует возникновение чипов ёмкостью от 1 Гбит и выше. Этого довольно, чтобы такие же SSD приобрели хороший и энергонезависимый буфер памяти вместо обычной памяти DDR. И GlobalFoundries, и «Самсунг» делают всё вероятное, чтобы это стало реальностью после 2018 года.