Сентябрь 21st, 2024 
raven000 Вчера в условиях непрекращающейся «автогонки техпроцессов» не так просто проследить за тем, какая из полупроводниковых организаций удачнее вводит свежие технические нормы, и как декларируемые «нанометры» отвечают настоящему положению. В Intel настаивают на том, что их 10-нм процесс выше подобных общепризнанных мерок «Самсунг» и TSMC, доказывая собственные слова аналогичными фото, набросками и графиками.
В масштабах серии отчетов на пресс-конференции Intel 2017 Technology and Manufacturing Day в Пекине младший академический работник Intel Марк Бор (Mark Bohr) сообщил об отличительных чертах 10-нм технологии, отметив, что организация из Санта-Клары обогнала соперников на одно происхождение. Так, на 1 треугольный мм кремниевого чипсета вместится приблизительно в два раза больше 10-нм транзисторов Intel (100,8 млрд), чем «Самсунг» (51,6 млрд) и TSMC (48,1 млрд). По словам г-на Леса, регулирование заглавий техпроцессов по определённому комплекту данных могло бы ликвидировать неурядицу, но, похоже, «Самсунг» и TSMC пока не заинтересованы в типизации либо в каком-то смысле аристократическом соглашении по этому вопросу.
Другой деятель, Стейси Смит (Stacy Smitty), считающийся главой компании Manufacturing, Operations and Sales («Изготовление, процедуры и реализации») компании Intel, показал кремниевую пластинку с кристаллами Cannon Lake на базе «наиболее крепких во всем мире транзисторных и железных частей». Этим дело не обошлось: по 10-нм норме будут массово производиться FPGA (предопределяемые чипсеты) Falcon Mesa для коллективных клиентов. Как замечено в пресс-релизе, они гарантируют «свежий уровень мощности для помощи развивающихся условий к пропускной возможности со стороны дата-центров, коллективных и сетевых кругов».
Упомянула Intel и о партнерстве с ARM, в масштабах которого SoC компании на 10-нм техпроцессе Intel и ядрах Cortex-A75 работали в испытательном режиме на частоте более 3 ГГц. В отдельности чипмейкер развивает бюджетный 22-нм процесс 22FFL (FinFET Low Power) для мобильных SoC, характеризующийся максимальными токами утечки и умеренным энергопотреблением на частотах более 2 ГГц.
Одним из значительных анонсов Intel на 2017 Technology and Manufacturing Day стало оглашение о конце поставок твердотельных накопителей для дата-центров, применяющих 64-слойную флеш-память 3D TLC NAND. До того эта система была проверена в потребительском секторе, а конкретнее в SSD 545с.
Опубликовано в рубрике 
