Июнь 4th, 2024 
raven000 На данный момент самого большого прогресса в деле изучения изготовления такого нового вида энергонезависимой памяти, как MRAM (магниторезистивная память), достигла организация GlobalFoundries. В ноябре 2014 года GlobalFoundries закончила контракт на введение в изготовление памяти ST MRAM (Spin-Torque MRAM), которую спроектировала организация Everspin Технолоджис. Это память с записью данных в ячейку при помощи перевода поясница электрона на базе туннельного результата. Такая память существенно энергоэффективнее NAND-флеш и значительно стремительней и надёжнее её. Главная неприятность MRAM состоит в относительно большой ячее и невысокой насыщенности записи. Данную неприятность организация GlobalFoundries равномерно постановляет.
Информация в ячее MRAM находится в качестве намагниченности слоёв
В начале августа на событии Flash Summit 2017 GlobalFoundries и Everspin продемонстрировали наиболее современную и крепкую в промышленности память MRAM: широко производимые 256-Мбит 40-нм микросхемы и квалифицированные 1-Гбит 28-нм чипсеты. Всю данную память производит организация GlobalFoundries. Однако основной услугой стала вероятность производить на мощностях GlobalFoundries контроллеры и SoC с интегрированным массивом памяти MRAM. Такие решения различаются оперативной и надёжной интегрированной памятью, исполнение кода в которой происходит также оперативно, как в материнской платы. Но с настоящего этапа GlobalFoundries предлагает приборы для разработки 22-нм контроллеров с интегрированной памятью MRAM на пластинках FD-SOI (хром на изоляторе с целиком обеднённым слоем).
Микросхемы памяти MRAM компании Everspin
Первые планы решений для техпроцесса 22FDX с интегрированной памятью MRAM будут собраны для квалифицированного изготовления к I кварталу 2018 года. Рисковое изготовление по этим проектам будет проведено в середине 2018 года. В GlobalFoundries ждут, что техпроцессом 22FDX решат воспользоваться проектировщики домашних, смазочных и авто контроллеров и решений для вещей с включением к Сети-интернет с батарейным питанием. Процесс 22FDX гарантирует довольно экономичное употребление для чипов и хорошую надёжность сохранения данных. К примеру, ячеи MRAM в техпроцессе 22FDX могут держать данные без утраты 10 лет при температуре 125 C по Цельсию. Также эксперименты признают, что в ходе перепайки памяти с нагревом до 260 C ячеи MRAM не утрачивают информацию. Такие характеристики востребованы для бортовой электроники, и они гарантированно найдут применение на деле.
Опубликовано в рубрике 
