Новостной портал

Организация «Самсунг» Электроникс произвела пресс-релиз, в котором рассказала о окончании подготовки 2-ух техпроцессов: 11-нм техпроцесса 11LPP FinFET (Low Power Plus) и 7-нм техпроцесса 7LPP FinFET. Процесс с общепризнанными мерками 11 hm будет применять традиционные сканеры с шириной волны 193 hm, но процесс с общепризнанными мерками 7 hm в первый раз в промышленности использует сканеры с шириной волны 13,5 hm. Это распространение в последнем (жёстком) ультрафиолетовом спектре, применять которое можно лишь с технологией зеркал. Пустая оптика ест EUV-излучение и не подходит для сканеров следующего поколения.

Первый торговый принтер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Такие сканеры в 2018 году широко начала производить одна единственная организация — голландская ASML. Стоимость любой установки не менее $110 млрд. Это приблизительно на тридцать процентов дешевле, чем стоимость 193-нм сканеров. В 2018 году ASML выпустит 14 EUV-сканеров, но в 2018 году 28 единиц. По всей видимости, большую часть агрегатов в 2018 году получила организация «Самсунг». Начало изготовления 7-нм продукции «Самсунг» гарантирует осуществить на протяжении 2-й половины 2018 года.

Организация получила большой опыт в применении EUV-сканеров, что даёт ей вероятность первой в промышленности начать глобальный выпуск чипов с применением проекции в последнем ультрафиолетовом спектре. С 2014 года на опытном EUV-оборудовании она обработала порядка 200 000 полупроводниковых пластинок. На сегодняшний день уровень исхода пригодной продукции с применением EUV-сканеров подступил к 80 %. Эти числа адекватны для изготовления массивов SRAM объёбог 256 Mbit (массив SRAM — это принятый в промышленности стандарт для испытательного изготовления). К началу глобального производства 7-нм продукции уровень брака гарантирует уменьшиться ещё мощнее.

Также организация продемонстрировала немного не менее дешевую замену техпроцессу 10LPP FinFET. В «Самсунг» дают себе отчёт, что 10-нм SoC — это бонусный сектор телефонов. Для телефонов эконом — класса в 1-й половине 2018 года организация начнёт применять процесс с общепризнанными мерками 11 hm (11LPP FinFET). Сравнивая с техпроцессом 14LPP FinFET 11-нм процесс снабдит падение площади кристаллов на 10 % (усовершенствование себестоимости, компактность) и повышение мощности на 15 % без увеличения употребления. Середнячки нарастят мышцы!

В следующие 3 года организация «Самсунг» Электроникс будет богата на реализованные на деле современные техпроцессы. Она будет производить решения с общепризнанными мерками 11 hm, 10 hm, 8 hm и 7 hm. Любой создатель найдёт процесс, который будет предпочтительнее отвечать условиям клиентов как по денежным средствам, так и по данным.